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MRF6S21100NR1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

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原廠料號(hào)：MRF6S21100NR1

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MRF6S21100NR1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝TO-270AB的MRF6S21100NR1晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    MRF6S21100NR1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FREESCALE【飛思卡爾】詳情

  • 廠商全稱：

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 中文名稱：

    飛思卡爾半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    20 頁

  • 文件大小：

    933.58 kb

  • 資料說明：

    RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF6S21100NR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.11GHz ~ 2.16GHz

  • 增益：

    14.5dB

  • 功率 - 輸出：

    23W

  • 封裝/外殼：

    TO-270AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-270 WB-4

  • 描述：

    FET RF 68V 2.16GHZ TO270-4

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    康小姐

  • 手機(jī)：

    13714976628

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83206150/83258002/83223169

  • 傳真：

    0755-83617149

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813

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