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MRF6V10010NR4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF6V10010NR4
廠商型號(hào)

MRF6V10010NR4

參數(shù)屬性

MRF6V10010NR4 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

647.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-21 14:14:00

MRF6V10010NR4規(guī)格書(shū)詳情

1090 MHz, 10 W, 50 V PULSED LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1400 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.

? Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 10 mA, Pout = 10 Watts Peak (2 W Avg.), f = 1090 MHz, Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 20

Power Gain — 25 dB

Drain Efficiency — 69

Features

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R4 Suffix = 100 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6V10010NR4

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.09GHz

  • 增益:

    25dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP USA Inc.
24+
PLD-1.5
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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