MRF6V10250HSR3_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-NXP USA Inc.

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原廠料號(hào):MRF6V10250HSR3品牌:NXP USA Inc.

資料說明:FET RF 100V 1.09GHZ NI780S

MRF6V10250HSR3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商N(yùn)XP USA Inc.生產(chǎn)封裝NI-780S的MRF6V10250HSR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    mrf6v10250hsr3

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  • 資料說明:

    FET RF 100V 1.09GHZ NI780S

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6V10250HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.09GHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 100V 1.09GHZ NI780S

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