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MRF6V12250HSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
![MRF6V12250HSR3](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號(hào) |
MRF6V12250HSR3 |
參數(shù)屬性 | MRF6V12250HSR3 封裝/外殼為NI-780S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S |
功能描述 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
封裝外殼 | NI-780S |
文件大小 |
1.3259 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-10 19:05:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MRF6V12250HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.03GHz
- 增益:
20.3dB
- 功率 - 輸出:
275W
- 封裝/外殼:
NI-780S
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-780S
- 描述:
FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
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