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MRF6V14300HR3

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V14300HR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V14300HR3

RF Power Field Effect Transistors

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6V14300HR3

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:SOT-957A 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 100V 1.4GHZ NI780

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6V14300HR3_10

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6V14300HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.4GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 輸出:

    330W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780H-2L

  • 描述:

    FET RF 100V 1.4GHZ NI780

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF6V14300HR3供應(yīng)商 更新時間2025-1-1 13:30:00