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MRF6V2300NBR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF6V2300NBR1
廠(chǎng)商型號(hào)

MRF6V2300NBR1

參數(shù)屬性

MRF6V2300NBR1 封裝/外殼為T(mén)O-272BB;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

封裝外殼

TO-272BB

文件大小

1.19064 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

freescale飛思卡爾

中文名稱(chēng)

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 16:30:00

MRF6V2300NBR1規(guī)格書(shū)詳情

RF Power Field Effect Transistors

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Designed primarily for CW large--signal output and driver applications with frequencies up to 600 MHz. Devices are unmatched and are suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

? Typical CW Performance: VDD=50Volts,IDQ= 900 mA,

Pout= 300 Watts, f = 220 MHz

Power Gain ó 25.5 dB

Drain Efficiency ó 68

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 220 MHz, 300 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDDOperation

? Integrated ESD Protection

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6V2300NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    220MHz

  • 增益:

    25.5dB

  • 功率 - 輸出:

    300W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 110V 220MHZ TO-272-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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