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MRF6VP11KGSR5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6VP11KGSR5
廠商型號

MRF6VP11KGSR5

參數(shù)屬性

MRF6VP11KGSR5 封裝/外殼為NI-1230S-4 GW;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

文件大小

812.27 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-6 11:18:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6VP11KGSR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    130MHz

  • 增益:

    26dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S-4 GW

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230S-4 GULL

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S

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