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MRF6VP11KGSR5分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF6VP11KGSR5
廠商型號(hào)

MRF6VP11KGSR5
參數(shù)屬性

MRF6VP11KGSR5 封裝/外殼為NI-1230S-4 GW；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S
功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
封裝外殼

NI-1230S-4 GW
文件大小

859.04 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp【恩智浦】

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-21 13:10:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF6VP11KGSR5

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    130MHz

  • 增益：

    26dB

  • 功率 - 輸出：

    1000W

  • 封裝/外殼：

    NI-1230S-4 GW

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-1230S-4 GULL

  • 描述：

    FET RF 2CH 110V 130MHZ NI-1230S

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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