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MRF7P20040HSR3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF7P20040HSR3
廠商型號

MRF7P20040HSR3

參數(shù)屬性

MRF7P20040HSR3 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

封裝外殼

NI-780S-4L

文件大小

493.99 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-25 22:50:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF7P20040HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.03GHz

  • 增益:

    18.2dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L

  • 供應商器件封裝:

    NI-780S-4L

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4

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