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MRF7S35015HSR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

3100--3500MHz,15WPEAK,32VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=50mA,Pout=15WattsPeak(3WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz,Pul

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S35015HSR3

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S35015HSR3

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：NI-400S-2S 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF7S35015HSR3_11

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF7S35015HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益：

    16dB

  • 功率 - 輸出：

    15W

  • 封裝/外殼：

    NI-400S-2S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-400S-2S

  • 描述：

    FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF7S35015HSR3供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 16:04:00

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