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MRF8P20160HSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MRF8P20160HSR3 |
參數(shù)屬性 | MRF8P20160HSR3 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 1.92GHZ |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
封裝外殼 | NI-780S-4L |
文件大小 |
874.65 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-23 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF8P20160HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS(雙)
- 頻率:
1.92GHz
- 增益:
16.5dB
- 功率 - 輸出:
37W
- 封裝/外殼:
NI-780S-4L
- 供應(yīng)商器件封裝:
NI-780S-4L
- 描述:
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA/ |
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