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MRF8P20160HSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF8P20160HSR3
廠商型號(hào)

MRF8P20160HSR3

參數(shù)屬性

MRF8P20160HSR3 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

功能描述

RF Power Field Effect Transistors
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

文件大小

874.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-18 15:26:00

MRF8P20160HSR3規(guī)格書(shū)詳情

MRF8P20160HSR3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。恩智浦半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MRF8P20160HSR3晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF8P20160HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.92GHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 功率 - 輸出:

    37W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S-4L

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 1.92GHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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