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MRF8S21200HR6分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF8S21200HR6 |
| 參數(shù)屬性 | MRF8S21200HR6 封裝/外殼為NI-1230；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | NI-1230 |
| 文件大小 |
586.18 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-4 22:50:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF8S21200HR6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
2.14GHz
- 增益：
18.1dB
- 功率 - 輸出：
48W
- 封裝/外殼：
NI-1230
- 供應商器件封裝：
NI-1230
- 描述：
FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSL |
23+ |
原廠原包裝 |
6000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價 | ||
FREESCALE |
24+ |
65200 |
詢價 | ||||
FREESCALE |
NI-1230 |
899933 |
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NXP USA Inc. |
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NI-1230 |
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NI1230 |
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