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MRF9060LR1

RF Power Field Effect Transistors N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFETs

RFPowerFieldEffectTransistors N?ChannelEnhancement?ModeLateralMOSFETs Designedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationswithfrequenciesupto1000MHz.Thehighgainandbroadbandperformanceofthesedevicesmakethemidealforlarge?signal,common?sourceamplifierapplicati

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF9060LR1

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF9060LR1

Package：NI-360；包裝：散裝 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 945MHZ NI-360

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF9060LR1_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF9060LR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    945MHz

  • 增益：

    17dB

  • 功率 - 輸出：

    60W

  • 封裝/外殼：

    NI-360

  • 供應商器件封裝：

    NI-360

  • 描述：

    FET RF 65V 945MHZ NI-360

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF9060LR1供應商 更新時間2025-4-25 16:10:00

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