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MRF9120LR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF9120LR3
廠商型號(hào)

MRF9120LR3

參數(shù)屬性

MRF9120LR3 封裝/外殼為NI-860;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 880MHZ NI-860

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-860

文件大小

316.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-3 16:33:00

MRF9120LR3規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

? Typical CDMA Performance @ 880 MHz, 26 Volts, IDQ = 2 x 500 mA IS-97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 26 Watts

Power Gain — 16 dB

Efficiency — 26

Adjacent Channel Power —

750 kHz: -45 dBc @ 30 kHz BW

1.98 MHz: -60 dBc @ 30 kHz BW

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 120 Watts (CW) Output Power

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Excellent Thermal Stability

? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF9120LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    880MHz

  • 增益:

    16.5dB

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    NI-860

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-860

  • 描述:

    FET RF 65V 880MHZ NI-860

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