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MRFE6P3300HR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRFE6P3300HR3
廠商型號(hào)

MRFE6P3300HR3

參數(shù)屬性

MRFE6P3300HR3 封裝/外殼為NI-860C3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 66V 863MHZ NI-860C3

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

NI-860C3

文件大小

451.38 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 17:12:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRFE6P3300HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    857MHz ~ 863MHz

  • 增益:

    20.4dB

  • 功率 - 輸出:

    270W

  • 封裝/外殼:

    NI-860C3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-860C3

  • 描述:

    FET RF 66V 863MHZ NI-860C3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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