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MRFE6VP61K25HR6

RF Power Field Effect Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode

RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HR6

RF Power LDMOS Transistors

RFPowerLDMOSTransistors HighRuggednessN--Channel Enhancement--ModeLateralMOSFETs ThesehighruggednessdevicesaredesignedforuseinhighVSWRindustrial(includinglaserandplasmaexciters),broadcast(analoganddigital),aerospaceandradio/landmobileapplications.Theyareunmatc

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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RF Power Field Effect Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HR6

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HR6

RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HR6

Package：NI-1230；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRFE6VP61K25HR6_11

RF Power Field Effect Transistors Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFE6VP61K25HR6_12

RF Power LDMOS Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRFE6VP61K25HR6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    230MHz

  • 增益：

    24dB

  • 功率 - 輸出：

    1250W

  • 封裝/外殼：

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-1230

  • 描述：

    FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRFE6VP61K25HR6供應(yīng)商 更新時間2025-1-31 14:16:00

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