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MRFG35002N6T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRFG35002N6T1 |
| 參數(shù)屬性 | MRFG35002N6T1 封裝/外殼為PLD-1.5；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5 |
| 功能描述 | Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
212.89 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-7 16:41:00 |
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3.5 GHz, 1.5 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.
? Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 65 mA, Pout = 158.5 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain — 10 dB
Drain Efficiency — 27
ACPR @ 5 MHz Offset — -41 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
? 1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? RoHS Compliant.
? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRFG35002N6T1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類(lèi)型：
pHEMT FET
- 頻率：
3.55GHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 輸出：
1.5W
- 封裝/外殼：
PLD-1.5
- 供應(yīng)商器件封裝：
PLD-1.5
- 描述：
FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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