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MRFG35005MT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,4.5W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplicationswithfrequenciesfrom1.8to3.6GHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABlinearbasestationapplications. ?TypicalW-CDMAPerformance:-42dBcACPR,3.55GHz,12Volts,IDQ=80

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35005MT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35005MT1

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：PLD-1.5 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD

NXP USA Inc.

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MRFG35005MT1_06

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRFG35005MT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    pHEMT FET

  • 頻率：

    3.55GHz

  • 增益：

    11dB

  • 功率 - 輸出：

    4.5W

  • 封裝/外殼：

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLD-1.5

  • 描述：

    FET RF 15V 3.55GHZ 1.5PLD

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE
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現(xiàn)貨供應(yīng)
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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更多MRFG35005MT1供應(yīng)商 更新時間2024-12-21 10:30:00

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