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MS1003分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1003
廠商型號

MS1003

參數(shù)屬性

MS1003 封裝/外殼為M111;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

功能描述

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

封裝外殼

M111

文件大小

119.55 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-21 20:00:00

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MS1003規(guī)格書詳情

MS1003屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MS1003晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers

● Schottky barrier rectifer

● Guard ring protection

● Low power loss, high efficiency

● VRRM 30 to 40 Volts

● Reverse energy tested)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MS1003

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    136MHz ~ 175MHz

  • 增益:

    6dB

  • 功率 - 最大值:

    270W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    20A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    M111

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M111

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICROSEMI/美高森美
22+
SOP-8
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
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ms
12+
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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20+
SOD-123FH
36800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!
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25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
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振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
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SOD-123FH
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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