首頁>MS1003>規(guī)格書詳情

MS1003分立半導體產品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1003
廠商型號

MS1003

參數屬性

MS1003 封裝/外殼為M111;包裝為托盤;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

功能描述

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

文件大小

131.97 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-20 14:17:00

MS1003規(guī)格書詳情

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers

● Schottky barrier rectifier

● Guard ring protection

● Low power loss, high efficiency

● VRRM 30 to 40 Volts

● Reverse energy tested

MS1003屬于分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。美高森美公司制造生產的MS1003晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MS1003

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    18V

  • 頻率 - 躍遷:

    136MHz ~ 175MHz

  • 增益:

    6dB

  • 功率 - 最大值:

    270W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    20A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    M111

  • 供應商器件封裝:

    M111

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Microsemi/美高森美
22+
TO-220
25000
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單
詢價
ision
20+
SOD-123FH
36800
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
詢價
GC
24+
1040
68900
一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
詢價
ms
22+
SOP
28600
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理
詢價
ision
24+
SOD-123FH
88700
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
Microsemi/美高森美
22+
TO-220
6000
十年配單,只做原裝
詢價
瑞盟
21+
QFN20
20000
原裝正品代理現(xiàn)貨
詢價
APT
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
詢價
只做原裝
21+
SOP
36520
一級代理/放心采購
詢價
ISION
22+
SOD-123FH
354000
詢價