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NPA1006

NextgenerationhighpowerRFsemiconductortechnology

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

NPA1006-SMB

GaNWidebandPowerAmplifier,28V,12.5W

MA-COM

M/A-COM Technology Solutions, Inc.

NTE1006

IntegratedCircuitFMMultiplexStereoDemodulator

Description: TheNTE1006isanintegratedcircuitina14–LeadDIPtypepackagedesignedforuseasanFMmultiplexstereodemodulator.Thisdeviceincludesallthefundamentalfunctionsincludingacompositeamp,doubler,decoder,separationcontroller,andlampdriver. Features: ●Suitablefo

NTE

NTE Electronics

OPTX1006

ADHESIVE-BACKEDLENS

Dialight

Dialight Corporation

OSSRD1006A

SolidStateRelays

TTELECTT Electronics.

TT電子公司梯梯電子集成制造服務(wù)(蘇州)有限公司

P1006BD

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無錫旭康微電子有限公司

P1006BD

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P1006BI

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無錫旭康微電子有限公司

P1006BI

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

NIKOSEMNIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD.

尼克森尼克森微電子股份有限公司

P1006BI

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MS1006

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    55V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 增益：

    14dB

  • 功率 - 最大值：

    127W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    19 @ 1.4A，6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    3.25A

  • 工作溫度：

    200°C

  • 安裝類型：

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼：

    M135

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M135

  • 描述：

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

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更多MS1006供應(yīng)商 更新時間2025-4-16 18:17:00

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