MS1261 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

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廠家型號：
MS1261
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
MICROSEMI
庫存數(shù)量：
26
產品封裝：
M122
生產批號：
1809+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2021-9-14 10:50:00

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原廠料號：MS1261品牌：MICROSEMI

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MS1261是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEMI/Microsemi Corporation生產封裝M122的MS1261晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
MS1261
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
NJSEMI【新澤西半導體】詳情
廠商全稱：
New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
中文名稱：
新澤西半導體產品股份有限公司
內容頁數(shù)：
3 頁
文件大?。?/span>
106.14 kb
資料說明：
RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHP MOBILE APPLICATIONS

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MS1261
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
18V
頻率 - 躍遷：
175MHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
34W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 250mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2.5A
工作溫度：
200°C（TJ）
安裝類型：
底座，接線柱安裝
封裝/外殼：
M122
供應商器件封裝：
M122
描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122

供應商

企業(yè)：
深圳市科雨電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
周小姐
手機：
17147551968
詢價：
電話：
171-4755-1968
地址：
深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2418室

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MS1261

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