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MS2206分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS2206
廠商型號

MS2206
參數(shù)屬性

MS2206 封裝/外殼為M115；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115
功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS
封裝外殼

M115
文件大小

93.55 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-19 20:00:00

MS2206規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The MS2206 is a common base, silicon NPN microwave transistor designed for Class C driver applications under DME or IFF pulse conditions. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated conditions.

Features

? 1025-1150 MHz

? GOLD METALLIZATION

? INFINITE VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS

? Pout = 4 W MINIMUM

? GP= 10 dB

? COMMON BASE CONFIGURATION

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MS2206

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    20V

  • 頻率 - 躍遷：

    1.025GHz ~ 1.15GHz

  • 增益：

    10dB

  • 功率 - 最大值：

    7.5W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 100mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    1A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    M115

  • 供應商器件封裝：

    M115

  • 描述：

    RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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