MS2209分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MS2209 |
| 參數(shù)屬性 | MS2209 封裝/外殼為M218；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
| 封裝外殼 | M218 |
| 文件大小 |
445.52 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-8 12:26:00 |
MS2209規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MS2209 is a broadband, high peak pulse power silicon NPN bipolar device specifically designed for avionics applications requiring broad bandwidth with moderate duty cycles and pulse width constraints such as ground/ship based DME/TACAN.
This device is also designed for specialized applications including JTIDS applications when duty cycle is moderately higher. Gold metallization and emitter ballasting assure high reliability under Class C amplifier operation.
Features
? 225 MHz BANDWIDTH
? COMMON BASE
? GOLD METALLIZATION
? CLASS C OPERATION
? POUT = 90 W MIN. WITH 13 dB GAIN
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MS2209
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
225MHz
- 增益：
8.4dB
- 功率 - 最大值：
220W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 2A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
7A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M218
- 供應(yīng)商器件封裝：
M218
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
QFN |
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