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MS652S分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS652S
廠商型號

MS652S

參數(shù)屬性

MS652S 封裝/外殼為M123;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

功能描述

5.0 Watts, 12.5 Volts, Class C UHF Applications
RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

文件大小

127.09 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-10-30 22:30:00

MS652S規(guī)格書詳情

MS652S屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。美高森美公司制造生產(chǎn)的MS652S晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MS652S

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    16V

  • 頻率 - 躍遷:

    450MHz ~ 512MHz

  • 增益:

    10dB

  • 功率 - 最大值:

    25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 200mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    2A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    M123

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M123

  • 描述:

    RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123

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