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MSAGA11F120D

Fast IGBT Die for Implantable Cardio Defibrillator Applications

DESCRIPTION: ·N-ChannelenhancementmodehighdensityIGBTdie ·Passivation:Polyimide,20um,overSiliconNitride,.8um ·EmitterMetallization:Al/1Siforaluminumwirebonding,3.2umtypical. ·Collector/GateMetallization:Ti–Ni(1um)–Ag(0.2um)forsoftsolderattach FEATURES:

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MSAGA11F120D

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 功能描述：

    MSAGA11F120D - Bulk

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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全新原裝 貨期兩周
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全新原裝 貨期兩周
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一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
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ST/意法
18+
1000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠萬力挺實單
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更多MSAGA11F120D供應(yīng)商 更新時間2025-1-9 11:39:00

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