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MSAGX75F60A中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MSAGX75F60A
廠商型號

MSAGX75F60A

功能描述

N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件大小

45.53 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-19 17:49:00

MSAGX75F60A規(guī)格書詳情

600 Volts

75 Amps

2.7 Volts vce(sat)

Features

· Rugged polysilicon gate cell structure

· high current handling capability, latch-proof

· Hermetically sealed, surface mount power package

· Low package inductance

· Very low thermal resistance

· Reverse polarity available upon request: MSAGX75F60B

· high frequency IGBT, low switching losses

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MSAGX75F60A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 75A 3PIN COOLPACK1 - Bulk

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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