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MSASC25W100KR中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MSASC25W100KR
廠商型號(hào)

MSASC25W100KR

功能描述

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

文件大小

140.81 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-6 17:19:00

MSASC25W100KR規(guī)格書詳情

LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

100 Volts 25 Amps

Features

? Tungsten schottky barrier

? Oxide passivated structure

? Guard ring protection for increased reverse energy capability

? Epitaxial structure minimizes forward voltage drop

? Hermetically sealed, low profile ceramic surface mount power package

? Low package inductance

? Very low thermal resistance

? Available as standard polarity (strap is anode: 1N6817) and reverse polarity (strap is cathode: 1N6817R)

? TXV-level screening (MSASC25W100KV) or S-level (MSASC25W100KS) screening i.a.w. Microsemi internal procedure PS11.50 available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MSASC25W100KR

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    LOW REVERSE LEAKAGE SCHOTTKY DIODE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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