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MSC81058中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MSC81058
廠商型號(hào)

MSC81058

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

文件大小

101.98 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-10 10:00:00

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MSC81058規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MSC81058 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone, emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding infinite load VSWR at any phase angle under rated conditions.

The MSC81058 is designed for Class C amplifier applications in the 0.4 - 1.2 GHz frequency range.

■ EMITTER BALLASTED

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

■ VSWR CAPABILITY ∞:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC? PACKAGE

■ POUT = 10 W MIN. WITH 10 dB GAIN @ 1 GHz

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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431-FCPBGA(20x20)
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