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MSC82010中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MSC82010
廠商型號

MSC82010

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

文件大小

87.26 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-10 18:08:00

MSC82010規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MSC82010 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave transistor utilizing a fishbone emitter ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated rated conditions. The MSC82010 was designed for Class C amplifier applications in the 1.0 - 2.0 GHz frequency range.

■ EMITTER BALLASTED

■ VSWR CAPABILITY ∞:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC? PACKAGE

■ POUT = 10 W MIN. WITH 5.2 dB GAIN @ 2.0 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MSC82010

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

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