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MSCSM70HM038CAG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料

MSCSM70HM038CAG
廠商型號

MSCSM70HM038CAG

參數(shù)屬性

MSCSM70HM038CAG 包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

功能描述

Full Bridge SiC Power Module
PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

文件大小

1.34791 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Microchip Technology
企業(yè)簡稱

Microchip微芯科技

中文名稱

微芯科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 18:26:00

MSCSM70HM038CAG規(guī)格書詳情

MSCSM70HM038CAG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由微芯科技股份有限公司制造生產(chǎn)的MSCSM70HM038CAG晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

Features

The following are the key features of MSCSM70HM038CAG device:

? SiC Power MOSFET

– Low RDS(on)

– High temperature performance

? SiC Schottky Diode

– Zero reverse recovery

– Zero forward recovery

– Temperature Independent switching behavior

– Positive temperature coefficient on VF

? Kelvin source for easy drive

? Low stray inductance

? M5 power connectors

? Aluminum Nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MSCSM70HM038CAG

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列

  • 包裝:

    管件

  • 描述:

    PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

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