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MSD2714AT1G分立半導體產(chǎn)品晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MSD2714AT1G |
| 參數(shù)屬性 | MSD2714AT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 文件大小 |
54.25 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導體公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-6 10:36:00 |
MSD2714AT1G規(guī)格書詳情
MSD2714AT1G屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MSD2714AT1G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MSD2714AT1G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
- 頻率 - 躍遷：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 1mA，6V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應商器件封裝：
SC-59
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
SOT-23 |
90000 |
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MSTAR |
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ON/安森美 |
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