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MSD2714AT1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MSD2714AT1G
廠商型號

MSD2714AT1G

參數(shù)屬性

MSD2714AT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59

功能描述

VHF/UHF Transistor
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

54.25 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-20 18:23:00

MSD2714AT1G規(guī)格書詳情

MSD2714AT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MSD2714AT1G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MSD2714AT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 1mA,6V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SC-59

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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