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MSD42SWT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
MSD42SWT1G |
參數(shù)屬性 | MSD42SWT1G 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3 |
功能描述 | NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistor |
文件大小 |
107.97 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-3 22:28:00 |
MSD42SWT1G規(guī)格書詳情
MSD42SWT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MSD42SWT1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
MSD42SWT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 2mA,200mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
25 @ 1mA,10V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-70,SOT-323
- 供應(yīng)商器件封裝:
SC-70-3(SOT323)
- 描述:
TRANS NPN 300V 0.15A SC70-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-323 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
21000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
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23+ |
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