MSD42T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量	價(jià)格
1+	面議

廠家型號(hào)：
MSD42T1G
產(chǎn)品分類(lèi)：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
庫(kù)存數(shù)量：
465000
產(chǎn)品封裝：
NA
生產(chǎn)批號(hào)：
21+
庫(kù)存類(lèi)型：
優(yōu)勢(shì)庫(kù)存
更新時(shí)間：
2024-12-21 17:24:00

數(shù)據(jù)手冊(cè) 更多貨源

詳細(xì)信息
規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：MSD42T1G品牌：ON/安森美

只做原裝,假一罰十

MSD42T1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)。制造商O(píng)N/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝NA/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MSD42T1G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

芯片型號(hào)：
MSD42T1G
規(guī)格書(shū)：
下載下載2
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情
廠商全稱(chēng)：
ON Semiconductor
中文名稱(chēng)：
安森美半導(dǎo)體公司
內(nèi)容頁(yè)數(shù)：
4 頁(yè)
文件大小：
90.63 kb
資料說(shuō)明：
NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors

產(chǎn)品屬性

類(lèi)型
描述
產(chǎn)品編號(hào)：
MSD42T1G
制造商：
onsemi
類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類(lèi)型：
NPN
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
500mV @ 2mA，20mA
電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 30mA，10V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：
SC-59
描述：
TRANS NPN 300V 0.15A SC59

供應(yīng)商

企業(yè)：
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司
商鋪：
進(jìn)入商鋪
聯(lián)系人：
朱小姐
手機(jī)：
19520636341
詢價(jià)：
電話：
19520636341
地址：
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)深南中路2068號(hào)華能大廈2303

MSD42T1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

MSD42T1G

產(chǎn)品屬性

供應(yīng)商

相關(guān)型號(hào)

相近型號(hào)