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MSF8N60

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

BWTECH

Bruckewell Technology LTD

MT8N60C

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTH8N60

PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTH8N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTM8N60

PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS

PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulatorsconverters,solenoidandrealydrivers.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTM8N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTN8N60BFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTN8N60FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTP8N60

N-ChannelMosfetTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

MTW8N60E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTW8N60E

TMOSPOWERFET8.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.55OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTW8N60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.55Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTW8N60E/D

TMOSPOWERFET8.0AMPERES600VOLTSRDS(on)=0.55OHM

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

NJ8N60

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ8N60-BL

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ8N60F-LI

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

NJ8N60-LI

7.5A600VN-CHANNELPOWERMOSFET

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

PJF8N60

600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

PJP8N60

600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂股份有限公司

RLFGB8N60CT

IGBT

Features ?600V,8A ?VCE(sat)(typ.)=1.8V@VGE=15V,IC=8A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOA GeneralDescription trenchIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(inductionheating),UPS,

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
BRU
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更多MSF8N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 9:52:00

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