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MSN0603 | 60V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET | MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司 | MORESEMI | |
60V(D-S) N-Channel Enhancement Mode Power MOS FET | MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited 摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司 | MORESEMI | ||
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LowDCR,smallpackage | MENGCOGuangDong Province MengCo Semiconductor Co., Ltd 盟科半導(dǎo)體廣東省盟科半導(dǎo)體有限公司 | MENGCO | ||
N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING Description TheN0603NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurrent ID | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING Description TheN0603NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurrent ID | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
FerriteChipBeads | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商 | ETC1 |
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MORESEMI |
2022+ |
SOT-23-3 |
40000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) | ||
MORESEMI |
2022+ |
SOT-23-3 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
MORESEMI |
20+ |
SOP-8 |
300000 |
現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝 |
詢價(jià) | ||
MORESEMI |
23+ |
TO-252 |
11357 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) |
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