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N0601N	文件：218.67 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETFORSWITCHING Description TheN0601NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=4.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=50A) ?Lowinputcapacitance Ciss=7730pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Hig	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
N0601N	文件：344.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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PF0601	文件：490.23 Kbytes Page：3 Pages	SMTPowerInductors Height:1.8mmMax Footprint:4.3mmx4.3mmMax CurrentRating:upto1.5A InductanceRange:0.7μHto220μH	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse
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PSRL0601D	文件：366.23 Kbytes Page：5 Pages	300WattDualOutputAC/DCSwitchingPowerSupply	WALL Wall Industries Inc	WALL
QFN-0601	文件：210.69 Kbytes Page：3 Pages	PackagingInformation/ReferencePatternLayoutDimensions	TOREXTorex Semiconductor 特瑞仕特瑞仕半導體株式會社	TOREX
RJE0601JPE	文件：91.82 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSFETSeriesPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

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更多MT0601AC供應商更新時間2024-11-20 16:18:00

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