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N0604N

N-channelMOSFETLowon-stateresistance

Description TheN0604NisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance RDS(on)=6.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=41A) ?Lowinputcapacitance Ciss=4150pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Highcurr

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

OI0604DV

SMDRFSIGNALCHOKE

FRONTIER

Frontier Electronics

OPB0604

SiliconPhotoTransistor

Structure 1.1ChipSize:0.60mmX0.45mm 1.2Chipthickness:220±30um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:130um -Base:60umX60um

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

P0604BD

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD

旭康微無(wú)錫旭康微電子有限公司

PS0604

SMDPowerInductorsShielded

PREMOPREMO CORPORATION S.L

普萊默

PSB0604

SMDPOWERINDUCTORS

GENERALSPECIFICATION: e)Resistancetosolderheat:260°C.10secs d)Operatingtemp.:-40°Cto+85°C c)Storagetemp.:-40°Cto+125°C b)Ratedcurrent:Baseontemp.rise&?L/L0A=10Max. a)Temp.rise:40°CMax.

SUPERWORLDSuperworld Electronics

超級(jí)世界電子超級(jí)世界電子公司

RJF0604DPD

SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJF0604JPD

SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJF0604JPD

SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

ROK0604IGDQA

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MT0604CJ供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 8:39:00

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