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MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR_集成電路(IC) 存儲器-Micron Technology Inc.

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2000+
  • 廠家型號:

    MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量:

    0

  • 類別:

    集成電路(IC) 存儲器

  • 封裝外殼:

    63-VFBGA

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 更新時間:

    2024-12-26 15:38:00

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原廠料號:MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR品牌:Micron Technology Inc.

資料說明:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR是集成電路(IC) > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝63-VFBGA的MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號:

    mt29f1g08abbfah4-aat:f%20tr

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  • 資料說明:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    MT29F1G08ABBFAH4-AAT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術:

    FLASH - NAND(SLC)

  • 存儲容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 105°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-VFBGA

  • 供應商器件封裝:

    63-VFBGA(9x11)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron Technology Inc
23+/24+
63-VFBGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
Micron Technology Inc.
24+
63-VFBGA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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99
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