首頁>MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR>詳情

MT29RZ4B2DZZHGSK 集成電路（IC）存儲器 ELPIDA/美光科技

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MT29RZ4B2DZZHGSK品牌：MRON/美光

原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票

MT29RZ4B2DZZHGSK是集成電路（IC） > 存儲器。制造商MRON/美光/Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝NA//162-VFBGA的MT29RZ4B2DZZHGSK存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    MT29RZ4B2DZZHGSK

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ELPIDA【美光科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Elpida Memory

  • 中文名稱：

    美光科技股份有限公司

  • 資料說明：

    512MX8/64MX32 MCP PLASTIC WIRELESS TEMP PBF WFBGA - Trays

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    FLASH，RAM

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2

  • 存儲容量：

    4Gb（512M x 8）（NAND），2G（64M x 32）（LPDDR2）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.8V

  • 工作溫度：

    -25°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    162-VFBGA

  • 供應商器件封裝：

    162-VFBGA（11.5x13）

  • 描述：

    IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機：

    19076157484

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號世貿(mào)廣場A座5層

相近型號