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MT3S111P(TE12L,F)

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MT3S111P(TE12L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.25dB @ 1GHz

  • 增益：

    10.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝：

    PW-MINI

  • 描述：

    RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Toshiba Semiconductor and Stor
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更多MT3S111P(TE12L,F)供應商 更新時間2025-1-3 15:00:00

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