MT3S113P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
MT3S113P |
參數(shù)屬性 | MT3S113P 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI |
功能描述 | VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications |
封裝外殼 | TO-243AA |
文件大小 |
191.89 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-21 18:14:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MT3S113P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
5.3V
- 頻率 - 躍遷:
7.7GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):
1.45dB @ 1GHz
- 增益:
10.5dB
- 功率 - 最大值:
1.6W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 30mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
13+ |
SOT-89 |
808 |
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詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
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NA |
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SOT-89 |
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原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
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TOSHIBA |
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原裝正品,支持實(shí)單 |
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SK |
22+ |
SOT-89 |
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原裝正品 |
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