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MT3S20P 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
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產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
MT3S20P(TE12L,F)
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
7GHz
- 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):
1.45dB @ 1GHz
- 增益:
16.5dB
- 功率 - 最大值:
1.8W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 50mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
80mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
PW-MINI
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
相近型號
- MT3S150P(TE12LF)
- MT40A
- MT3S150P
- MT40A1G16HBA-083E:A
- MT3S11FS
- MT40A1G16KD-062E:E
- MT3S113TU
- MT40A1G16KD-062E:ETR
- MT3S113P
- MT40A1G16KD-062EIT:E
- MT3S113
- MT40A1G16KH-062E:E
- MT3S111TU
- MT40A1G16KH-062E:ETR
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- MT40A1G16KNR-062E:E
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- MT40A1G16KNR-075:E
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- MT40A1G4SA-062E:G
- MT36KSF2G72PZ-1G6E1
- MT40A1G8AG-062EAAT:R
- MT36KSF2G72PZ-1G4P1