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MT41J256M4集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MT41J256M4 |
| 參數(shù)屬性 | MT41J256M4 封裝/外殼為78-TFBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA |
| 功能描述 | DDR3 SDRAM MT41J256M4 ??32 Meg x 4 x 8 banks MT41J128M8 ??16 Meg x 8 x 8 banks MT41J64M16 ??8 Meg x 16 x 8 banks |
| 文件大小 |
2.93817 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
214 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Micron Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
Micron【鎂光】 |
| 中文名稱 | 美國鎂光科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-7 9:53:00 |
MT41J256M4規(guī)格書詳情
MT41J256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks
MT41J128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks
MT41J64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks
DDR3 SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding n-bit-wide, one half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MT41J256M4JP-125
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
DRAM
- 技術(shù)：
SDRAM - DDR3
- 存儲容量：
1Gb（256M x 4）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
1.425V ~ 1.575V
- 工作溫度：
0°C ~ 95°C（TC）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
78-TFBGA
- 供應商器件封裝：
78-FBGA（8x11.5）
- 描述：
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICRON |
23+ |
FBGA |
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詢價 | ||
MRON/美光 |
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Micron |
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MT41J256M4JP-107G |
115 |
115 |
詢價 | ||||
MICRON/美光 |
23+ |
FBGA |
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MICRON |
FBGA |
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Micron |
22+ |
78FBGA (8x11.5) |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 |
