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ACT4419	文件：90.83 Kbytes Page：6 Pages	SingleSupplyVariableAmplitudeTransceiversforMIL-STD-1553 GeneralDescription TheAeroflexCircuitTechnologymodelACT4419isanextgenerationD.I.monolithictransceiverwhichprovidesvariableamplitudeinfullcompliancewithMIL-STD-1553/1760databusrequirementswiththeloweststandbypowerconsumptionavailableandonepowersupplyoperation.	AEROFLEX Aeroflex Circuit Technology	AEROFLEX
ACT4419D	文件：78.17 Kbytes Page：6 Pages	DualVariableAmplitudeTransceiversforMIL-STD-1553 GeneralDescription TheAeroflexCircuitTechnologymodelACT4419DisanextgenerationD.I.monolithictransceiverwhichprovidesvariableamplitudeinfullcompliancewithMIL-STD-1553databusrequirementswiththeloweststandbypowerconsumptionavailableandonepowersupplyoperation. Fea	AEROFLEX Aeroflex Circuit Technology	AEROFLEX
ACT4419DF	文件：78.17 Kbytes Page：6 Pages	DualVariableAmplitudeTransceiversforMIL-STD-1553 GeneralDescription TheAeroflexCircuitTechnologymodelACT4419DisanextgenerationD.I.monolithictransceiverwhichprovidesvariableamplitudeinfullcompliancewithMIL-STD-1553databusrequirementswiththeloweststandbypowerconsumptionavailableandonepowersupplyoperation. Fea	AEROFLEX Aeroflex Circuit Technology	AEROFLEX
ACT4419FP	文件：90.83 Kbytes Page：6 Pages	SingleSupplyVariableAmplitudeTransceiversforMIL-STD-1553 GeneralDescription TheAeroflexCircuitTechnologymodelACT4419isanextgenerationD.I.monolithictransceiverwhichprovidesvariableamplitudeinfullcompliancewithMIL-STD-1553/1760databusrequirementswiththeloweststandbypowerconsumptionavailableandonepowersupplyoperation.	AEROFLEX Aeroflex Circuit Technology	AEROFLEX
AO4419	文件：1.00276 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AO4419	文件：577.34 Kbytes Page：8 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導(dǎo)體	EVVOSEMI
AO4419	文件：433.36 Kbytes Page：8 Pages	30VP-ChannelMOSFET ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)-9.7A RDS(ON)(atVGS=-10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司	UMW
AO4419	文件：555.34 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
AO4419	文件：1.2783 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor [ALPHA&OMEGA] GeneralDescription TheAO4419usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4419isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4419Lis	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
AO4419	文件：167.01 Kbytes Page：1 Pages		AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美國(guó)萬(wàn)代美國(guó)萬(wàn)代半導(dǎo)體 PDF上傳者：深圳德田科技有限公司	AOS
AO4419	文件：2.52257 Mbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 萬(wàn)和興電子深圳萬(wàn)和興電子有限公司	WHXPCB
AO4419	文件：274.52 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AO4419	文件：1.51059 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-9.7A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AO4419-HF	文件：1.96896 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
AP4419GH	文件：63.39 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
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KTC4419	文件：145.66 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=400V(Min) ?HighSwitchingSpeed APPLICATIONS ?Switchingregulatorapplications ?Highvoltageswitchingapplications ?HighspeedDC-DCconverterapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KTC4419	文件：309.21 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEDIFFUSEDPNPTRANSISTOR(SWITCHINGREGULATOR,HIGHVOLTAGE,HIGHSPEEDDC-DCCONVERTER) SWITCHINGREGULATORAPPLICATION. HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATION. HIGHSPEEDDC-DCCONVERTERAPPLICATION. FEATURES ?ExcellentSwitchingTimes. :ton=1.0μS(Max.),tf=0.5μS(Max.)atIC=1.5A. ?HighCollectorVoltage:VCEO=400V.	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KTC4419	文件：455.79 Kbytes Page：3 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC

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