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MT45W1MW16BAFB-708 WT_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    MT45W1MW16BAFB-708 WT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    54-VFBGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-1 10:30:00

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原廠料號：MT45W1MW16BAFB-708 WT品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

MT45W1MW16BAFB-708 WT是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝54-VFBGA的MT45W1MW16BAFB-708 WT存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt45w1mw16bafb-708%20wt

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT45W1MW16BAFB-708 WT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    PSRAM

  • 技術(shù)：

    PSRAM（偽 SRAM）

  • 存儲容量：

    16Mb（1M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    70ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -30°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    54-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    54-VFBGA（6x9）

  • 描述：

    IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
22+
54VFBGA (6x9)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Micron
23+
54VFBGA (6x9)
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
Micron Technology Inc.
21+
168-LBGA
5280
進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
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2023+
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Micron
23+
54-FBGA (6x9)
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原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803
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Micron Technology Inc.
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