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MT46V64M8BN-6 L:F TR_集成電路（IC） 存儲器-Micron Technology Inc.

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  • 廠家型號：

    MT46V64M8BN-6 L:F TR

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    60-TFBGA

  • 包裝：

    管件

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-1 11:12:00

  • 詳細信息
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原廠料號：MT46V64M8BN-6 L:F TR品牌：Micron Technology Inc.

資料說明：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

MT46V64M8BN-6 L:F TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Micron Technology Inc.生產(chǎn)封裝60-TFBGA的MT46V64M8BN-6 L:F TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    mt46v64m8bn-6%20l:f%20tr

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MT46V64M8BN-6 L

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR

  • 存儲容量：

    512Mb（64M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    60-FBGA（10x12.5）

  • 描述：

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
MICRON
2020+
BGA
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
MICRON
2023+
FBGA
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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MICRON
24+
FBGA
35200
一級代理/放心采購
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MICRON/美光
23+
FBGA
28942
原盒原標,正品現(xiàn)貨 誠信經(jīng)營 價格美麗 假一罰十
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MICRON/美光
23+
FBGA
13448
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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MICRON
BGA
899933
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
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MICRON
23+
BGA
8
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
Micron
22+
60FBGA (10x12.5)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Micron
23+
60FBGA (10x12.5)
9000
原裝正品，支持實單
 詢價
MICRON
23+
BGA
5000
原裝正品,假一罰十
 詢價

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