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MT47H512M4EB-25E:C

包裝:托盤 封裝/外殼:60-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H512M4EB-25E:C TR

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:60-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H512M4EB-3:C

包裝:托盤 封裝/外殼:60-TFBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H512M4

DDR2SDRAMMT47H512M4??64Megx4x8banksMT47H256M8??32Megx8x8banksMT47H128M16??16Megx16x8banks

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

MT47H512M4

2Gb:x4,x8,x16DDR2SDRAMFeatures

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT47H512M4EB-25E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    2Gb(512M x 4)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    60-FBGA(9x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Micron
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60FBGA (9x11.5)
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更多MT47H512M4EB供應商 更新時間2025-1-1 10:30:00