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MT47H512M4THN-25E:M

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：63-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H512M4THN-25E:M TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：63-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    MT47H512M4THN-25E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    2Gb（512M x 4）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    63-FBGA（8x10）

  • 描述：

    IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICRON/鎂光
2021+
NA
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鎂光一級代理商,
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MICRON/美光
22+
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3000
支持任何機構檢測 只做原裝正品
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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集團化配單-有更多數量-免費送樣-原包裝正品現貨-正規(guī)
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更多MT47H512M4THN-25E:M供應商 更新時間2025-1-7 9:12:00

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