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MT47H64M16HR-25E AAT:H

包裝：托盤 封裝/外殼：84-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H64M16HR-25E AAT:H TR

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：84-TFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

Micron Technology Inc.

MT47H64M16HR-25AT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

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MT47H64M16HR-25EAT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

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MT47H64M16HR-25EIT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

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MT47H64M16HR-25EITH

DDR2SDRAMMT47H256M4??32Megx4x8banksMT47H128M8??16Megx8x8banksMT47H64M16??8Megx16x8banks

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

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MT47H64M16HR-25EL

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

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MT47H64M16HR-25ELH

1Gb:x4,x8,x16DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

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MT47H64M16HR-25H

DDR2SDRAMMT47H256M4??32Megx4x8banksMT47H128M8??16Megx8x8banksMT47H64M16??8Megx16x8banks

MicronMicron Technology

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MT47H64M16HR-25IT

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

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MT47H64M16HR-25L

DDR2SDRAM

DDR2SDRAM MT47H256M4–32Megx4x8banks MT47H128M8–16Megx8x8banks MT47H64M16–8Megx16x8banks Features ?VDD=1.8V±0.1V,VDDQ=1.8V±0.1V ?JEDEC-standard1.8VI/O(SSTL_18-compatible) ?Differentialdatastrobe(DQS,DQS#)option ?4n-bitprefetcharchitecture ?Dup

MicronMicron Technology

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MT47H64M16HR-25E AAT

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q100

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    1Gb（64M x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    84-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-FBGA（8x12.5）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICRON
21+
BGA/TSOP
50000
特價來襲!美光一級代理入駐114電子網(wǎng)
 詢價
MICRON/美光
23+
BGA
3000
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、
 詢價
MICON
2020+
BGA
742
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
MICRON
19+
BGA
256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價
MICON
23+
BGA
8560
受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!
 詢價
MICRON
23+
BGA
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
MICRON
2023+
BGA
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
只做原裝
21+
BGA
36520
一級代理/放心采購
 詢價
MICRON
22+
BGA
28600
只做原裝正品現(xiàn)貨假一賠十一級代理
 詢價
MICRON/美光
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
更多MT47H64M16HR-25E AAT:H供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 16:28:00

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